场效应管参数（场效应管参数怎么看）

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场效应管4n25的参数

基本参数：ME04N25-G，SOT-252，松木，SMD/MOS，N场，250V，3.3A，1.8Ω

详细参数：

品牌：松木

型号：ME04N25-G

种类：绝缘栅(MOSFET)

沟道类型：N沟道

导电方版式：增强型

用途：S/开关

封装外形：SMD(SO)/表面封装

材料：GE-N-FET锗N沟道

扩展资料：

4N25的应用电路设计实例：

作为一款通用光电耦合器，4N25包含一个砷化镓红外发光二极管，并用该二极管驱动硅光电晶体管。4N25的封装类型是6脚双列直插封装。

交流48V电源后面加整流全桥并配合电容滤波+6K左右限流电知阻后接入4N25发光二级管（注意极性）。后面的24V直流电可直接道接入输出端。输出端耐压30V（注意极性）。管脚输入端可以当做发光二极管用，1脚接整流后的正极，2脚接负。输出端当做三极管使用，6脚当基极，4脚是射极，5脚是极电极。

yp11113场效应管参数

参数为下：

1、IDSS，饱和漏源电流，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP，夹断电压，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT，开启电压，是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM，跨导，是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS漏源击穿电压，是指栅源电压UGS定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压，这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM最大耗散功率，也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率，使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM最大漏源电流，是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流，场效应管的工作电流不应超过IDSM。

场效应管型号和参数

IRFU020、IRFPG42、IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管cs630参数

场效应管cs630参数是1200V、630A。查询场效应晶体管说明书得知，CS630场效应管是大功率单向可控硅，其基本参数是:1200V、630A。单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。场效应管全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效应晶体管。

场效应管的主要参数

饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。 交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 ①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，

②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制，

③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，

④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。

除以上参数外，还有极间电容、高频参数等其他参数。

漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。

栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。

使用时主要关注的参数有：

1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。

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